[拼音]:jiechudian xianxiang [外文]:contact electric phenomena 两块不同金属A、B接触时,它们之间出现电位差的现象。这个电位差称为接触电位差。形成接触电位差的机理是:不同金属里自由电子势阱深度不同,自由电子密度也不相等,从而费密能级不一样。通常用逸出功表示把位于费密能级上的一个电子移到金属表面之外所需作的功;费密能级不同也就是逸出功不同。在两块不带电的金属相距很远的情况下,它们的费密能级EFA、逸出功═和势垒ψ等如图1a所示。逐渐移近时,它们的势场开始相互影响,中间势垒显著下降,如图1b所示。当移近到图1c所示的情形,势垒已降到金属A的费密能级E ![]() 式中 e是电子电荷的值。由上式可见两块金属中逸出功大的一个具有较低的电位。此电位差即接触电位差。表中列出了用光电效应法与热电发射法分别测出的一些金属的逸出功的值。利用此表即可求出其中任二种金属间的接触电位差以及哪一金属具有较低电势。 ![]() ![]() 值得注意的是,金属A、B所带的电荷都分布在其表面上,金属内的电子密度不变,在两金属接触面上正负电荷形成一偶电层。两块金属的接触电位差实质上就是这偶电层产生的。 接触电效应在一些物理过程中起着重要作用。例如半导体与金属接触时所产生的接触电位差(或称肖脱基电位差)将在半导体表面附近形成一个阻挡层。图2中 E0为位于材料外表面电子的位能;Eσ为导带底部的能级;EV为价带顶部的能级;E ![]() |