霍耳式压力传感器

图

基于霍耳效应的压力传感器。它将霍耳元件固定于弹性敏感元件上,在压力的作?a href='http://www.b15k.com/baike/224/271348.html' target='_blank' style='color:#136ec2'>孟禄舳?a href='http://www.b15k.com/baike/223/307275.html' target='_blank' style='color:#136ec2'>弹性敏感元件的变形而在磁场中产生位移,从而输出与压力成一定关系的电信号。保持霍耳元件的激励电流不变,而使它在一个均匀梯度的磁场中移动时,它输出的霍耳电势大小就取决于它在磁场中的位移量(见半导体磁敏元件)。磁场梯度越大,灵敏度就越高;梯度变化越均匀,霍耳电势与位移的关系就越接近于线性。霍耳元件结构简单、形小体轻、无触点、频带宽、动态特性好、寿命长,而且已经商品化。霍耳元件用于压力传感器,按照弹性敏感元件的不同有多种结构形式。图ab中的压力传感器分别采用膜盒和波登管作为弹性敏感元件,并由两块半环形五类磁铁产生梯度均匀的磁场。

分类标签: 元件 磁场 梯度
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